IXTX200N10L2
3 шт. с центрального склада, срок 3 недели
55 100 ֏
от 2 шт. —
53 200 ֏
от 3 шт. —
50 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 55 100 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:200A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thre 03AH1876
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 30 |
| Fall Time | 27 ns |
| Forward Transconductance - Min | 55 S |
| Height | 21.34 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 200 A |
| Length | 16.13 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 1.04 kW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 540 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11 mOhms |
| Rise Time | 225 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTX200N10 |
| Technology | Si |
| Tradename | Linear L2 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | Linear L2 Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 127 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 40 ns |
| Unit Weight | 0.056438 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
| Width | 5.21 mm |
| Вес, г | 11.57 |
Техническая документация
Datasheet IXTK200N10L2
pdf, 135 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 1 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
