AOD413A
![Фото 1/2 AOD413A](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461994.jpg)
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
403 ֏
от 10 шт. —
320 ֏
от 81 шт. —
238 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 320 ֏
Номенклатурный номер: 8007851835
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AOD413A производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - высокомощный компонент для современной электроники. N-MOSFET транзистор в корпусе TO252 отличается стабильной работой при токе стока в 12 А и напряжении сток-исток до 40 В. Максимальная мощность транзистора достигает 25 Вт, что делает его идеальным выбором для мощных применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,044 Ом, обеспечивая высокую эффективность и низкие потери мощности. Монтаж SMD позволяет легко интегрировать его в печатные платы. Транзистор AOD413A - надежное решение для управления силовыми цепями в различных электронных устройствах. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 12 |
Напряжение сток-исток, В | 40 |
Мощность, Вт | 25 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.044 |
Корпус | TO252 |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 12 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 44@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 50000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 16.2 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 16.2@10VI7.2@4.5V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 900@20V |
Вес, г | 0.793 |
Техническая документация
Datasheet AOD413A
pdf, 207 КБ
Похожие товары