CE3512K2-C1

1 910 ֏
от 10 шт.1 560 ֏
от 25 шт.1 440 ֏
от 100 шт.1 140 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 910 ֏
Номенклатурный номер: 8007870650

Описание

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Silicon, N-Channel, Junction FET

Технические параметры

Automotive No
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 0.068
Maximum Drain Source Voltage - (V) 4
Maximum Frequency - (MHz) 12000
Maximum Gate Source Voltage - (V) -3
Maximum Power Dissipation - (mW) 125000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Supplier Package Micro-X
Вес, г 0.1