Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

RFP12N10L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 12А, 60Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 430 ֏

от 5 шт. — 1 130 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 430 ֏

Номенклатурный номер: 8010848684

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор полевой RFP12N10L от ONSEMI представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для разнообразных применений благодаря своим THT монтажным характеристикам. Данный транзистор способен обеспечить ток стока до 12 А и выдерживать напряжение сток-исток до 100 В, что делает его надежным выбором для устройств с высокими рабочими напряжениями. Мощность транзистора составляет 60 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,2 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимальные потери. Транзистор упакован в прочный корпус TO220AB, который гарантирует долговечность и устойчивость к тепловым нагрузкам. Ищете надежный компонент для вашего проекта? Модель RFP12N10L станет отличным выбором. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	12
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	60
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.2
Корпус	TO220AB

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока	12 A
Тип корпуса	TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности	60 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	4.83мм
Высота	9.4мм
Размеры	10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	10.67мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	15 нс
Производитель	ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения	100 нс
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Максимальное сопротивление сток-исток	200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток	100 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	900 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-10 V, +10 V
Id - непрерывный ток утечки	12 A
Pd - рассеивание мощности	60 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	200 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	70 ns
Время спада	80 ns
Другие названия товара №	RFP12N10L_NL
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	RFP12N10L
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	12 A
Maximum Drain Source Resistance	200 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	60 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Transistor Material	Si
Width	4.83mm
Вес, г	2.041