Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › VN0808L-G, Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A ...

VN0808L-G, Trans MOSFET N-CH Si 80V 0.3A 3-Pin TO-92 Bag

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 230 ֏

Кратность заказа 25 шт.

от 250 шт. — 1 010 ֏

от 500 шт. — 930 ֏

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 30 750 ֏

Номенклатурный номер: 8014061294

Бренд: Microchip Technology

Описание

Discrete Semiconductors\Fet Transistors\Mosfet

МОП-транзистор 80V 4Ohm

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	300 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	Through Hole
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	170 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	10 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Base Product Number	VN0808 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	300mA (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Bulk
Package / Case	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
PCN Packaging	http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD
Power Dissipation (Max)	1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 1A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-92-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	4Ом
Power Dissipation	1Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	80В
Непрерывный Ток Стока	300мА
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	1Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	4Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-92