2N7000-G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
463 ֏
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
от 500 шт. —
375 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 23 150 ֏
Описание
МОП-транзистор 60V 5Ohm
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 5.08mm |
Transistor Configuration | Одинарный |
Brand | Microchip |
Maximum Continuous Drain Current | 200 мА |
Package Type | TO-92 |
Maximum Power Dissipation | 1 Вт |
Series | 2N7000 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 4.06mm |
Максимальное пороговое напряжение включения | 3V |
Height | 5.33мм |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
Maximum Drain Source Resistance | 5.3 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 В |
Pin Count | 3 |
Номер канала | Поднятие |
Тип канала | N |
Maximum Gate Source Voltage | 30 V |
Forward Diode Voltage | 0.85V |
Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mmho |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Base Product Number | 2N7000 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 200mA (Tj) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Width | 4.06mm |