B1M080120HC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 шт., срок 8 недель
24 200 ֏
от 5 шт. —
19 600 ֏
от 30 шт. —
17 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 200 ֏
Номенклатурный номер: 8014327036
Бренд: BASiC Semiconductor
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 27A |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Gate charge | 149nC |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 241W |
| Pulsed drain current | 80A |
| Technology | SiC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1880 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
