Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › MSC090SMA070B, MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 ...

MSC090SMA070B, MOSFET MOSFET SIC 700 V 90 mOhm TO-247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 200 ֏

от 30 шт. — 7 500 ֏

от 120 шт. — 6 100 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 200 ֏

Номенклатурный номер: 8004810335

Бренд: Microchip Technology

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор UNRLS, FG, SIC МОП-транзистор, TO-247

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	28 A
Pd - рассеивание мощности	90 W
Qg - заряд затвора	38 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	111 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	700 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 23 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.9 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1
Технология	SiC
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Microchip / Microsemi
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Base Product Number	MSC090 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)	700V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-247-3
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	700 V
Package Type	TO-247
Transistor Material	SiC
Вес, г	7