NTD4804NT4G, TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2710 шт., срок 8 недель
476 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
273 ֏
от 150 шт. —
234 ֏
от 500 шт. —
184 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 380 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 8 ns, 5 ns |
Forward Transconductance - Min | 23 S |
Id - Continuous Drain Current | 117 A |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number Of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
Product Category | MOSFET |
Product Type | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4 mOhms |
Rise Time | 20 ns, 19 ns |
Series | NTD4804N |
Subcategory | MOSFETs |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FETs-MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns, 35 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 18 ns, 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet NTD4804NT4G
pdf, 147 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары