ASDM20P09ZB-R, 20V 9A 16m-@4.5V,4A 1.8W 700mV@250uA 90pF@10V P Channel 1.2nF@10V 15nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs
2250 шт., срок 8 недель
140 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
84 ֏
от 150 шт. —
70 ֏
от 500 шт. —
58 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 700 ֏
Номенклатурный номер: 8015813719
Бренд: Ascend
Описание
20V 9A 16mΩ@4.5V,4A 1.8W 700mV@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 9A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 16mΩ@4.5V, 4A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.2nF@10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 90pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@4.5V |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 368 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![7N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
