ASDM30DN30E-R, 30V 30A 26W 15m-@10V,15A 2.5V@250uA 108pF@15V 2 N-Channel 896pF@15V 9.82nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs
4890 шт., срок 8 недель
232 ֏
от 10 шт. —
184 ֏
от 30 шт. —
145 ֏
от 100 шт. —
121 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 232 ֏
Номенклатурный номер: 8015813750
Бренд: Ascend
Описание
30V 30A 26W 15mΩ@10V,15A 2.5V@250uA 2 N-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 15mΩ@10V, 15A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 896pF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 26W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 108pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9.82nC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 750 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
