ASDM30N55E-R, 30V 55A 4.8m-@10V,30A 40W 1.5V@250uA 305pF@15V N Channel 3.105nF@15V 31.6nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(3.3x3.3) MOSFETs
2925 шт., срок 8 недель
175 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
114 ֏
от 150 шт. —
101 ֏
от 500 шт. —
88 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 875 ֏
Номенклатурный номер: 8015813778
Бренд: Ascend
Описание
30V 55A 4.8mΩ@10V,30A 40W 1.5V@250uA N Channel DFN-8(3x3.3) MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.8mΩ@10V, 30A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.105nF@15V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 305pF@15V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31.6nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 348 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AOD4132, Транзистор N-MOSFET 30В 85A 100Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
