2N7002-HXY, 60V 0.3A 0.35W 2-@10V,0.5A 1.9V@250uA N Channel 21pF@25V SOT-23 MOSFETs
222420 шт., срок 8 недель
18 ֏
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
14 ֏
от 600 шт. —
9 ֏
от 3000 шт. —
6 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 360 ֏
Номенклатурный номер: 8015851824
Бренд: HXY MOSFET
Описание
60V 300mA 350mW 2Ω@10V,0.5A 1.9V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 300mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V, 0.5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 21pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Документация
pdf, 3842 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![AO3401A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.2А [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![8205A, Транзистор 2N-MOSFET 20В 6А [SOT-23-6]](https://static.chipdip.ru/lib/257/DOC005257819.jpg)
