SMF4N65, 650V 4A 33W 2.6-@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs
1885 шт., срок 8 недель
364 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
237 ֏
от 150 шт. —
206 ֏
от 500 шт. —
173 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 820 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015881428
Бренд: HUAKE
Описание
650V 4A 33W 2.6Ω@10V,2A 4V@250uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6Ω@10V, 2A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 33W |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 2.35 |
Техническая документация
Datasheet SMF4N65
pdf, 949 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
