60N02-HXY, 20V 60A 27m-@4.5V,20A 60W 1V@250uA N Channel 2000pF@10V TO-252-2L MOSFETs
65 шт., срок 8 недель
224 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
132 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 120 ֏
Номенклатурный номер: 8015935773
Бренд: HXY MOSFET
Описание
20V 60A 7.5mΩ@4.5V,20A 60W 1V@250uA N Channel TO-252-2L MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 7.5mΩ@4.5V, 20A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 60W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
