SI4850EY-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 7,1А, 3,3Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 150 ֏
от 5 шт. —
770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 7,1А, 3,3Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 7.1A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate charge | 27nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 47mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 246 КБ
