2N7002-G, Транзистор МОП n-канальный, 60В, 500мА, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 ֏
Описание
МОП-транзистор 60V 7.5Ohm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 115 mA |
Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.93 mm |
Длина | 2.92 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002-G
pdf, 465 КБ