CSD17484F4, PicoStar-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
191 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
117 ֏
от 150 шт. —
100 ֏
от 500 шт. —
84 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 955 ֏
Описание
N-канал 30V 3A (Ta) 500 мВт (Ta) поверхностный монтаж 3-PICOSTAR
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Qg - заряд затвора | 920 pC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 128 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 1 ns |
| Время спада | 4 ns |
| Высота | 0.2 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD17484F4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
| Ширина | 0.6 mm |
| Base Product Number | CSD17484 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 195pF @ 15V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 121mOhm @ 500mA, 8V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | FemtoFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 128000000 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | VSONP |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 0.06 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1231 КБ
Похожие товары
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
