SI2309CDS-T1-GE3, Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,3А, 1,1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
272 ֏
Кратность заказа 3 шт.
от 216 шт. —
226 ֏
от 429 шт. —
213 ֏
от 858 шт. —
193 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 816 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Транзистор P-MOSFET, полевой, -60В, -1,3А, 1,1Вт, SOT23 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 345 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.05 |
