FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®

Фото 1/4 FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 610 ֏
Номенклатурный номер: 8020305573

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 70 A
Maximum Drain Source Resistance 23 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -25 V, +25 V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 214 W
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-3PN
Pin Count 3
Series QFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 85 nC @ 10 V
Width 5mm
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 675 КБ