IRFP150PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 700 ֏
от 5 шт. —
1 530 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 700 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 29А, 230Вт, TO247AC Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 41 A |
| Pd - рассеивание мощности | 230 W |
| Qg - заряд затвора | 140 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 55 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 120 ns |
| Время спада | 81 ns |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | IRFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.31 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 41 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247AC |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Width | 5.31mm |
| Вес, г | 4.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1475 КБ
Datasheet
pdf, 1447 КБ
Datasheet IRFP150PBF
pdf, 1488 КБ
