CSD17575Q3T

CSD17575Q3T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
960 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.830 ֏
от 30 шт.700 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 1 920 ֏
Номенклатурный номер: 8022748909
Бренд: Texas Instruments

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 250
Fall Time: 3 ns
Forward Transconductance - Min: 118 S
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation: 108 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.6 mOhms
Rise Time: 10 ns
Series: CSD17575Q3
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.4 V
Вес, г 33

Техническая документация

Datasheet
pdf, 474 КБ