Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Texas Instruments › CSD17551Q3A

CSD17551Q3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

424 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 342 ֏

от 30 шт. — 295 ֏

от 100 шт. — 250 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 1 696 ֏

Номенклатурный номер: 8023113887

Бренд: Texas Instruments

Описание

Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFET
Силовые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.

Технические параметры

Brand:	Texas Instruments
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	3.4 ns
Forward Transconductance - Min:	101 S
Id - Continuous Drain Current:	48 A
Manufacturer:	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	VSONP-8
Pd - Power Dissipation:	2.6 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	9 mOhms
Rise Time:	24 ns
Series:	CSD17551Q3A
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	NexFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	12 ns
Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Brand	Texas Instruments
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	3.4 ns
Forward Transconductance - Min	101 S
Height	0.9 mm
Id - Continuous Drain Current	100 A
Length	3.15 mm
Manufacturer	Texas Instruments
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	VSONP-8
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	2.6 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	11.8 mOhms
Rise Time	24 ns
RoHS	Details
Series	CSD17551Q3A
Technology	Si
Tradename	NexFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.6 V
Width	3 mm