CSD18510KTTT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 200А, 250Вт, D2PAK, NexFET™
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 860 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 860 ֏
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 40В, 200А, 250Вт, D2PAK, NexFET™ Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 330 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 153 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2 mOhms |
| Rise Time: | 8 ns |
| Series: | CSD18510KTT |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 29 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0014Ом |
| Power Dissipation | 250Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | NexFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 274А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 2-1 год |
| Вес, г | 1.7 |
