SI2369DS-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7,6А; Idm: -80А; 1,6Вт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 ֏
Описание
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.6А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.04 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 197 КБ
