IRFIB7N50APBF, транзистор N канал 500В 6.6А TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 ֏
Кратность заказа 2 шт.
от 50 шт. —
600 ֏
от 200 шт. —
520 ֏
от 350 шт. —
510 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 6,6А, Idm: 44А, 60Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.6 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 | |
Корпус | TO220FP-3 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 6.1 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 520 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 15.49 mm | |
Длина | 10.41 mm | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Серия | IRFIB | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.7 mm | |
Base Product Number | IRFIB7 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.6A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520mOhm @ 4A, 10V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220-3 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.6 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 520 10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 60000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220FP | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 28 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 52(Max) | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 52(Max)10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1423 25V | |
Typical Rise Time (ns) | 35 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Series | - | |
Maximum Continuous Drain Current | 6.6 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 520 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 60 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Package Type | TO-220FP | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet
pdf, 143 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 194 КБ
Datasheet IRFIB7N50APBF
pdf, 149 КБ
Документация
pdf, 147 КБ