Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › 2N7002BK,215, Транзистор полевой N-канальный ...

2N7002BK,215, Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9408 шт. с центрального склада, срок 3 недели

39 ֏

Мин. кол-во для заказа 52 шт.

от 257 шт. — 31 ֏

от 513 шт. — 26 ֏

от 1025 шт. — 22 ֏

Добавить в корзину 52 шт. на сумму 2 028 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8474314816

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Id - непрерывный ток утечки	350 mA
Pd - рассеивание мощности	440 mW
Qg - заряд затвора	0.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	7 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel Trench MOSFET
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C	350mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)	370mW
Rds On - Drain-Source Resistance	1.6О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity	N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60V
Vgs - Gate-Source Voltage	2.1V @ 250uA
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	350 mA
Maximum Drain Source Resistance	2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	440 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	0.5 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.041