Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором ON Semiconductor, стр.8

_{187 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NGTB40N65FL2WG, TO-247 IGBTs Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	3 700 ֏ ×	от 10 шт. — 2 890 ֏ от 30 шт. — 2 520 ֏ от 100 шт. — 2 240 ֏
NXH100B120H3Q0PTG Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	121 000 ֏ ×
NXH100B120H3Q0PTG, IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	95 600 ֏ ×	от 10 шт. — 79 900 ֏ от 24 шт. — 74 000 ֏
NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	124 000 ֏ ×
NXH160T120L2Q2F2SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500W 56-Pin Case 180AK Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	69 800 ֏ ×
NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	127 000 ֏ ×	от 5 шт. — 117 000 ֏ от 10 шт. — 107 000 ֏
NXH25C120L2C2SG, Plugin Power Modules Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	58 700 ֏ ×
NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	298 000 ֏ ×
NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press- Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	227 000 ֏ ×
NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	139 000 ֏ ×
NXH40T120L3Q1SG IGBT Module 1200 V, 44-Pin Q13-TNPC, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	833 000 ֏ ×
NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	187 000 ֏ ×	от 5 шт. — 165 000 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	86 300 ֏ ×	от 5 шт. — 79 800 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	114 000 ֏ ×	от 12 шт. — 97 500 ֏
NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	60 900 ֏ ×
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	67 000 ֏ ×	от 5 шт. — 61 100 ֏ от 10 шт. — 59 200 ֏
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	71 500 ֏ ×	от 5 шт. — 65 200 ֏ от 10 шт. — 63 000 ֏
SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	18 900 ֏ ×	от 10 шт. — 17 300 ֏ от 25 шт. — 14 800 ֏ от 100 шт. — 12 200 ֏
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр	3 960 ֏ ×	от 15 шт. — 3 760 ֏
SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFD series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	910 ֏ ×	от 15 шт. — 900 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором ON Semiconductor, стр.8

ООО «ЧИП и ДИП»