Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.3

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR2117PBF, Одноканальный драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 700 ֏ 980 ֏ ×	от 5 шт. — 960 ֏
IR2117STRPBF, Одноканальный драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 280 ֏ 840 ֏ ×	от 10 шт. — 780 ֏
IR2118PBF, Одноканальный драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 050 ֏ ×	от 5 шт. — 1 010 ֏
IR2121PBF, Драйвер ключа нижнего уровня с ограничением тока, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 700 ֏ ×	от 5 шт. — 1 690 ֏
IR2125PBF, Одноканальный драйвер с ограничением тока, [PDIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.6 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 43 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 26 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 610 ֏ 1 510 ֏ ×	от 5 шт. — 1 500 ֏
IR21271STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 1-OUT, High или Low-Side [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 9…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 100 ֏ 1 970 ֏ ×	от 5 шт. — 1 930 ֏
IR2127PBF, Одноканальный драйвер с контролем тока, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 370 ֏ 1 710 ֏ ×	от 5 шт. — 1 640 ֏
IR2127SPBF, Одноканальный драйвер с контролем тока, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: Один Кол-во каналов: 1 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 330 ֏ ×	от 5 шт. — 1 250 ֏
IR2130PBF, Трехфазный мостовой драйвер, [DIP-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	7 800 ֏ 5 200 ֏ ×
IR2130SPBF, Трехфазный мостовой драйвер, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	7 600 ֏ 5 200 ֏ ×
IR2132SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [SOIC-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	4 000 ֏ 2 760 ֏ ×	от 5 шт. — 2 700 ֏
IR2133JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	7 200 ֏ 4 880 ֏ ×	от 5 шт. — 4 830 ֏
IR21363JPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	16 200 ֏ 11 000 ֏ ×	от 5 шт. — 10 900 ֏
IR2136PBF, Драйвер MOSFET/IGBT для 3-фазных приложений [DIP-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	4 070 ֏ 2 660 ֏ ×	от 5 шт. — 2 650 ֏
IR2136SPBF, 3х фазный мостовой драйвер MOSFET/ IGBT, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-28(0.295 inch)	быстрый просмотр	3 520 ֏ 2 310 ֏ ×	от 5 шт. — 2 290 ֏
IR21531PBF, Полумост с генератором 600В 200мА [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 110 ֏ ×	от 5 шт. — 1 090 ֏
IR21531STRPBF, Полумостовой драйвер SELF-OSC [SOIC-8] Бренд: Infineon	быстрый просмотр	1 580 ֏ 1 050 ֏ ×	от 15 шт. — 1 000 ֏
IR2153PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 640 ֏ 940 ֏ ×	от 5 шт. — 890 ֏
IR2153SPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 280 ֏ 760 ֏ ×	от 5 шт. — 740 ֏
IR2155PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 460 ֏ ×	от 5 шт. — 1 450 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.3

ООО «ЧИП и ДИП»