Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor, стр.8

_{183 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

NXH100B120H3Q0PTG, IGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	95 600 ֏ ×	от 10 шт. — 79 900 ֏ от 24 шт. — 74 000 ֏
NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	124 000 ֏ ×
NXH160T120L2Q2F2SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500W 56-Pin Case 180AK Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	69 800 ֏ ×
NXH160T120L2Q2F2SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 160 А, 2.15 В, 500 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	127 000 ֏ ×	от 5 шт. — 117 000 ֏ от 10 шт. — 107 000 ֏
NXH25C120L2C2SG, Plugin Power Modules Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	58 400 ֏ ×
NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module, 303 A 1000 V Q2PACK (Pb-Free/Halide-Free) Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	298 000 ֏ ×
NXH350N100H4Q2F2P1G, IGBT Modules Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press- Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	227 000 ֏ ×
NXH35C120L2C2SG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	139 000 ֏ ×
NXH40T120L3Q1SG IGBT Module 1200 V, 44-Pin Q13-TNPC, Surface Mount Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	833 000 ֏ ×
NXH40T120L3Q1SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 42 А, 1.85 В, 146 Вт, 175 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	187 000 ֏ ×	от 5 шт. — 165 000 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT MODULE, SIX N-CH, 1.2KV, 50A, DIP26 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	86 300 ֏ ×	от 5 шт. — 79 800 ֏
NXH50C120L2C2ESG, IGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	114 000 ֏ ×	от 12 шт. — 97 500 ֏
NXH80B120H2Q0SG, Trans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103W 20-Pin Case 180AJ Tray Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	60 900 ֏ ×
NXH80B120H2Q0SG, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 40 А, 2.2 В, 103 Вт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	67 000 ֏ ×	от 5 шт. — 61 100 ֏ от 10 шт. — 59 200 ֏
NXH80T120L2Q0S2G, БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Half Bridge Inverter, 67 А, 2.35 В, 158 мВт, 150 °C, PIM Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	71 500 ֏ ×	от 5 шт. — 65 200 ֏ от 10 шт. — 63 000 ֏
SGL160N60UFDTU, Транзистор: IGBT, 600В, 80А, 100Вт, TO264 Бренд: ON Semiconductor	быстрый просмотр	18 800 ֏ ×	от 10 шт. — 17 300 ֏ от 25 шт. — 14 700 ֏ от 100 шт. — 12 100 ֏
FGAF20N60SMD, IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pf		2 910 ֏ 2 040 ֏ ×
FGH75T65SQDTL4, Транзистор IGBT 650В 75А [TO-247-4LD] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 44 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 296 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-4LD		5 900 ֏ ×
FGA6065ADF Бренд: ON Semiconductor		9 500 ֏ ×	от 2 шт. — 8 800 ֏ от 5 шт. — 8 300 ֏ от 10 шт. — 8 000 ֏
FGPF4633 Бренд: ON Semiconductor		2 260 ֏ ×

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) ON Semiconductor, стр.8

ООО «ЧИП и ДИП»