Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › 2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А ...

2N7002ET1G, Транзистор MOSFET N-CH 60В 0.26А [SOT-23-3]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 ֏

от 100 шт. — 16 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 ֏

Номенклатурный номер: 9000423574

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

The 2N7002ET1G is a N-channel small signal MOSFET in Trench technology and low drain to source voltage. Suitable for low side load switch and level shift circuits.

• 1.2A Pulsed drain current
• ±20V Gate to source voltage
• Halogen-free

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.86Ом
Power Dissipation	420мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	310мА
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Рассеиваемая Мощность	420мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.86Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.05