FDN306P, Транзистор P-MOSFET 12В 2.6А 0.5Вт [SOT-23-3]
![FDN306P, Транзистор P-MOSFET 12В 2.6А 0.5Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2499 шт. с центрального склада, срок 2 недели
33 ֏
от 100 шт. —
29 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 33 ֏
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 90мОм
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.03 Ом/2.6/4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 10 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet FDN306P
pdf, 463 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 15 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
