FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2617 шт. с центрального склада, срок 10 дней
232 ֏
от 100 шт. —
211 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 232 ֏
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 8 мОм/10А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 | |
Крутизна характеристики, S | 81 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Пороговое напряжение на затворе | 1…2.2 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
UMW FDS6681Z
pdf, 306 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг