FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]
![FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2003 шт. с центрального склада, срок 9 дней
107 ֏
от 15 шт. —
96 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 107 ֏
Описание
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R аналог:FQD13N10LTM
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 142 мОм/5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 8.7 | |
| Корпус | dpak | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet UMW FQD13N10L
pdf, 848 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
