FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]

Фото 1/2 FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 420 ֏
от 20 шт.1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 420 ֏
Номенклатурный номер: 9000333208

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 16.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/8.25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 100
Корпус to-220
Вес, г 2.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 461 КБ
fqp17p10
pdf, 684 КБ
Документация
pdf, 321 КБ
FQP17P10-D
pdf, 533 КБ