FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 420 ֏
от 20 шт. —
1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 420 ֏
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16.5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.19 Ом/8.25А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 100 | |
Корпус | to-220 | |
Вес, г | 2.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 461 КБ
fqp17p10
pdf, 684 КБ
Документация
pdf, 321 КБ
FQP17P10-D
pdf, 533 КБ
С этим товаром покупают