FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]
![Фото 1/6 FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758100.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/698/DOC001698053.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC034561729.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/310/DOC035310236.jpg)
1 160 ֏
690 ֏
от 15 шт. —
670 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 ֏
Описание
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.035 Ом/16А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
Крутизна характеристики, S | 24 | |
Корпус | to-220 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2.5 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 684 КБ
Datasheet FQP30N06L
pdf, 794 КБ
FQP30N06L datasheet
pdf, 628 КБ
FQP30N06L_D
pdf, 797 КБ
С этим товаром покупают
Похожие товары