FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]

Фото 1/4 FQT4N20LTF, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 0.8А [SOT-223]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
334 ֏
213 ֏
от 50 шт.197 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 213 ֏
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 9000267959

Описание

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.3 Ом/0.425, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2.2
Корпус SOT-223
Вес, г 0.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 627 КБ
Документация
pdf, 835 КБ
Datasheet FQT4N20L
pdf, 743 КБ