Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › NTMFS5C670NLT1G, Транзистор [SO-8 FL]

NTMFS5C670NLT1G, Транзистор [SO-8 FL]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

334 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 334 ֏

Номенклатурный номер: 9000566635

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6
onsemi МОП-транзисторы среднего напряжения с каналом N-канала Trench6 представляют собой полевые МОП-транзисторы на 30, 40 и 60 В, произведенные с использованием передового процесса Power Trench, включающего технологию экранированного затвора. Этот процесс был оптимизирован, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии и при этом сохранить превосходные характеристики переключения с лучшими в своем классе диодами с мягким корпусом.

Технические параметры

Brand:	onsemi
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1500
Fall Time:	4 ns
Forward Transconductance - Min:	82 S
Id - Continuous Drain Current:	71 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SO-8FL-4
Pd - Power Dissipation:	61 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	20 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	8.8 mOhms
Rise Time:	60 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-channel
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Вес, г	1