Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCMT180N65S3

FCMT180N65S3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 300 ֏

от 2 шт. — 4 680 ֏

от 5 шт. — 4 290 ֏

от 10 шт. — 4 100 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 300 ֏

Номенклатурный номер: 8007482732

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CH, 650V, 17A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.152ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Powe

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	17(A)
Drain-Source On-Volt	650(V)
Gate-Source Voltage (Max)	'±30(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	PQFN EP
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	4
Polarity	N
Power Dissipation	139(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	17 A
Maximum Drain Source Resistance	180 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	±30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	139 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	33 nC @ 10 V
Width	8mm
Drain Source On State Resistance	0.152Ом
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Линейка Продукции	SUPERFET III
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	17А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4.5В
Рассеиваемая Мощность	139Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.152Ом
Стиль Корпуса Транзистора	PQFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный