2SJ191-VB, 60V 30A 4W 61m-@10V,5A 3V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs
24 шт., срок 8 недель
520 ֏
от 10 шт. —
372 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 ֏
Описание
60V 30A 4W 61mΩ@10V,5A 3V@250uA P Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 61mΩ@10V, 5A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 4W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 213 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 24 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 28 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/242/DOC000242348.jpg)
