2SJ360-VB, 60V 4.8A 2.1W 58m-@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs
180 шт., срок 8 недель
570 ֏
от 10 шт. —
368 ֏
от 30 шт. —
276 ֏
от 100 шт. —
228 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 ֏
Описание
60V 4.8A 2.1W 58mΩ@10V,3A 2.5V@250uA P Channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 4.8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 58mΩ@10V, 3A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W |
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.12 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 207 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 2 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 6 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![2SK170-BL, Транзистор, N-канал [TO-92]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299940.jpg)
![AF4502CSLA, Транзистор MOSFET P/N-каналы 30В (D-S) [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![AOP605, Транзистор MOSFET N/P-CH 7.5A/6.6A 30V [DIP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304706.jpg)
