NTMTS1D6N10MCTXG, 100V 273A 291W 1.42mOhm@10V,90A 4V@650uA 80pF@50V N Channel 7.63nF@50V 106nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) DFNW-8(8.4x8.3) MOSFET

NTMTS1D6N10MCTXG, 100V 273A 291W 1.42mOhm@10V,90A 4V@650uA 80pF@50V N Channel 7.63nF@50V 106nC@10V -55°C~+175°C@(Tj) DFNW-8(8.4x8.3) MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 000 ֏
от 10 шт.9 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 11 000 ֏
Номенклатурный номер: 8017661286

Описание

The ON Semiconductor NTMFS series is n-channel MOSFET which has drain to source voltage of 100 V. It is typically used synchronous rectification and DC-DC conversion.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 273 A
Maximum Drain Source Resistance 0.017 Ω
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DFNW8
Pin Count 8
Series NTMC0
Вес, г 0.7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 325 КБ