IRLR3410TR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19365 шт., срок 8-10 недель
174 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
135 ֏
от 150 шт. —
117 ֏
от 500 шт. —
90 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 740 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзистор полевой N-канальный 100В 17A
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 105 мОм/17A, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.7 | |
| Корпус | dpak | |
| Вес, г | 37 |
Техническая документация
Datasheet IRLR3410
pdf, 439 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AOD4132, Транзистор N-MOSFET 30В 85A 100Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
