VB2658
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1135 шт., срок 8-10 недель
186 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
148 ֏
от 150 шт. —
126 ֏
от 500 шт. —
102 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 860 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 5.2A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 27W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 3.2A,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA |
Техническая документация
Datasheet VB2658
pdf, 1147 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![AOD4189, Транзистор P-MOSFET 40В 40A 62.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS4435BZ, Транзистор P-MOSFET 30В 8.8А 2.5Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
