4N65L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14225 шт., срок 8-10 недель
152 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
117 ֏
от 150 шт. —
104 ֏
от 500 шт. —
84 ֏
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 1 520 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 Ом/2А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | - | |
| Крутизна характеристики, S | - | |
| Корпус | dpak |
Техническая документация
Datasheet UMW 4N65
pdf, 535 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 31 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 4 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары
![4N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 4А 33Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 55A 57Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![AO4441, Транзистор P-MOSFET 60В 4А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
