Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › HUF75344P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой ...

HUF75344P3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 75А, 285Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 590 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 590 ֏

Номенклатурный номер: 8025770430

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 55В, 75А, 285Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	75 A
Pd - рассеивание мощности	285 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	125 ns
Время спада	57 ns
Высота	16.3 mm
Длина	10.67 mm
Другие названия товара №	HUF75344P3_NL
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	UltraFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	800
Серия	HUF75344P3
Технология	Si
Тип	MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	46 ns
Типичное время задержки при включении	13 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	75 A
Maximum Drain Source Resistance	8 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	285 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220AB
Pin Count	3
Series	UltraFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	175 nC @ 20 V
Width	4.7mm
Вес, г	1.98