Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FDS4470, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В ...

FDS4470, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12,5А, 2,5Вт, SO8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 280 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 280 ֏

Номенклатурный номер: 8027008855

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 12,5А, 2,5Вт, SO8 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.006Ом
Power Dissipation	2.5Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	12.5А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3.9В
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.006Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2500
Fall Time:	29 ns
Forward Transconductance - Min:	45 S
Id - Continuous Drain Current:	12.5 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	SOIC-8
Part # Aliases:	FDS4470_NL
Pd - Power Dissipation:	2.5 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	45 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	9 mOhms
Rise Time:	12 ns
Series:	FDS4470
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	PowerTrench
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	37 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Вес, г	0.07