Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.7

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		5 100 ֏ 3 920 ֏ ×	от 15 шт. — 3 720 ֏
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		4 730 ֏ 1 620 ֏ ×	от 15 шт. — 1 540 ֏
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		1 930 ֏ ×	от 15 шт. — 1 830 ֏
GT15J341 транзистор, IGBT N-Ch 600V 15A 1.5Vce 12 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	12 дней, 1 шт.	1 730 ֏ ×
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] 3 недели, 1 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	3 недели, 1 шт.	1 700 ֏ 990 ֏ ×
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 160 ֏ 1 090 ֏ ×	от 15 шт. — 990 ֏
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		4 490 ֏ 2 330 ֏ ×	от 15 шт. — 2 210 ֏
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		2 330 ֏ ×	от 15 шт. — 2 210 ֏
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 340 ֏ 1 960 ֏ ×	от 15 шт. — 1 930 ֏
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		3 820 ֏ 2 880 ֏ ×	от 15 шт. — 2 730 ֏
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		7 000 ֏ 2 700 ֏ ×	от 15 шт. — 2 560 ֏
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		6 700 ֏ 4 530 ֏ ×	от 15 шт. — 4 510 ֏
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: PG-TO247-3	быстрый просмотр		4 000 ֏ 2 800 ֏ ×	от 15 шт. — 2 760 ֏
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO247-3-46	быстрый просмотр		2 880 ֏ ×	от 15 шт. — 2 820 ֏
IKW50N60T (K50T60), Транзистор IGBT, 600В, 50А [TO-247-3] 3 недели, 2 шт. Бренд: China	быстрый просмотр	3 недели, 2 шт.	1 500 ֏ ×	от 15 шт. — 1 460 ֏
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		440 ֏ ×	от 15 шт. — 429 ֏
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		3 970 ֏ ×	от 15 шт. — 3 770 ֏
IRG4PSC71UPBF, IGBT 600В 85А [Super247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 34 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 56 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: Super-247	быстрый просмотр		3 030 ֏ ×	от 15 шт. — 3 000 ֏
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		940 ֏ ×	от 15 шт. — 890 ֏
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		1 100 ֏ 680 ֏ ×	от 10 шт. — 670 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.7

ООО «ЧИП и ДИП»