Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.6

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGP19NC60HD, Транзистор PowerMESH IGBT VERY FAST 600V 40A [TO-220-3] 12 дней, 294 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	12 дней, 294 шт.	3 160 ֏ 2 000 ֏ ×	от 15 шт. — 1 970 ֏
STGP19NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 20А [TO-220] 12 дней, 570 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 130 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	12 дней, 570 шт.	680 ֏ ×	от 15 шт. — 620 ֏
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] 12 дней, 250 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 15 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 30 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.75 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 65 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 72 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	12 дней, 250 шт.	1 040 ֏ 580 ֏ ×	от 15 шт. — 570 ֏
STGW19NC60HD, Транзистор IGBT, 600В, 42А, 140Вт [TO-247] 12 дней, 60 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 42 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 140 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр	12 дней, 60 шт.	3 470 ֏ ×	от 15 шт. — 3 300 ֏
STGW30H60DFB, Транзистор IGBT 600В 60А 260Вт [TO-247] 12 дней, 104 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 37 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 146 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 104 шт.	2 670 ֏ 1 960 ֏ ×	от 15 шт. — 1 900 ֏
STGW30NC60WD, Транзистор IGBT, 600В, 60А, 200Вт [TO-247] 12 дней, 219 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29.5 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 118 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 219 шт.	4 790 ֏ 2 810 ֏ ×	от 15 шт. — 2 770 ֏
STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 12 дней, 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 153 шт.	2 670 ֏ 1 670 ֏ ×	от 15 шт. — 1 650 ֏
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247] 12 дней, 252 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 252 шт.	4 670 ֏ 3 100 ֏ ×	от 10 шт. — 3 060 ֏
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] 12 дней, 161 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 161 шт.	8 400 ֏ 5 800 ֏ ×	от 15 шт. — 5 700 ֏
YGW25N135F1A, Транзистор IGBT Trench Field Stop 1350В 25А [TO-247] 12 дней, 50 шт. Бренд: luxin-semi Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1350 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 260 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 155 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	12 дней, 50 шт.	1 030 ֏ ×	от 10 шт. — 950 ֏
AOK40B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 105Вт; TO247; Eвыкл:0,54мДж Бренд: Alpha & Omega	быстрый просмотр		2 360 ֏ ×
AOK60B65H2AL, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 166Вт; TO247; Eвыкл:1,17мДж Бренд: Alpha & Omega	быстрый просмотр		1 230 ֏ ×	от 5 шт. — 1 060 ֏
AUIRG4PH50S, Транзистор Бренд: IR	быстрый просмотр		980 ֏ ×	от 5 шт. — 860 ֏
CRG40T60AN3H, Транзистор IGBT 600В 40А 280Вт Trench FS III [TO-3P(N)] 8 недель, 216 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 280 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 147.7 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	8 недель, 216 шт.	520 ֏ ×	от 15 шт. — 466 ֏
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр		3 640 ֏ 1 490 ֏ ×	от 15 шт. — 1 420 ֏
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 3 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 650 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		3 820 ֏ 1 870 ֏ ×	от 15 шт. — 1 770 ֏
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		5 800 ֏ 3 770 ֏ ×	от 15 шт. — 3 740 ֏
FGH20N60SFDTU, Транзистор Бренд: Fairchild	быстрый просмотр		3 880 ֏ 1 410 ֏ ×	от 5 шт. — 1 330 ֏
FGH40T120SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 1200В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop, Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 555 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 475 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		10 100 ֏ 8 300 ֏ ×
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		4 550 ֏ 2 910 ֏ ×	от 15 шт. — 2 890 ֏

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.6

ООО «ЧИП и ДИП»