Транзисторы полевые N-канальные, стр.23

1302 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/5.6a, 10В
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
3 880 ֏
2 550 ֏
×
от 15 шт. — 2 530 ֏
IRF710PBF, Транзистор, N-канал 400В 2А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
590 ֏
383 ֏
×
от 15 шт. — 356 ֏
IRF7201TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 7.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/7.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 5.8
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
444 ֏
×
от 25 шт. — 398 ֏
IRF720PBF, Транзистор, N-канал 400В 3.3А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 1.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
392 ֏
×
от 15 шт. — 372 ֏
IRF730PBF, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 Ом/3.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
730 ֏
396 ֏
×
от 15 шт. — 375 ֏
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
358 ֏
239 ֏
×
от 50 шт. — 219 ֏
IRF740ASTRLPBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [D2-PAK]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 5.8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1 580 ֏
1 050 ֏
×
от 15 шт. — 990 ֏
IRF740SPBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [D2-PAK]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
580 ֏ ×
от 50 шт. — 560 ֏
IRF7413ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал 30В 13А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 62
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
274 ֏ ×
от 50 шт. — 241 ֏
IRF7455TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 15А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
431 ֏
288 ֏
×
от 50 шт. — 268 ֏
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0065 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 44
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
431 ֏
288 ֏
×
от 50 шт. — 268 ֏
IRF7465TRPBF, Транзистор Nкан 150В 1.9А, [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/1.14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 0.75
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
510 ֏
338 ֏
×
от 50 шт. — 317 ֏
IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
730 ֏
451 ֏
×
от 50 шт. — 420 ֏
IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 510 ֏
×
от 50 шт. — 1 450 ֏
IRF7821TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 13.6А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0091 Ом/13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
850 ֏
640 ֏
×
от 25 шт. — 590 ֏
IRF7832TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 20А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.004 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
730 ֏
×
от 25 шт. — 690 ֏
IRF7842TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 81
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 280 ֏
810 ֏
×
от 25 шт. — 800 ֏
IRF7853TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 100В, 8.3А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 700 ֏
1 110 ֏
×
от 50 шт. — 1 030 ֏
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1 460 ֏
960 ֏
×
от 25 шт. — 940 ֏
IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/45А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 260
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
2 190 ֏
1 370 ֏
×
от 15 шт. — 1 350 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60